9月10日，国家电力投资集团发文，其所属核力创芯暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。

这标志着中国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了中国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。

氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用，该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破，打破了国外垄断。