英飞凌infineon日前表示，公司已能够在12英寸(300mm)晶圆上生产GaN芯片该技术为世界首创，希望满足高能耗人工智能(AI)数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。

英飞凌infineon CEO Jochen Hanebeck表示，到本十年末，这项技术市场将达到数十亿美元的规模。

英飞凌infineon电源与传感器系统总裁Adam White表示，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。

该公司表示，使用更大尺寸的GaN晶圆生产芯片将更加高效，12英寸可以容纳的GaN芯片数量是8英寸(直径200mm)晶圆的2.3倍。目前，所有尖端处理器芯片都是在12英寸晶圆上制造的，电源芯片行业主要使用8英寸晶圆。

GaN是芯片制造中硅的替代品，GaN芯片因其效率、速度、重量轻以及在高温和高电压下工作的能力而受到青睐。