英飞凌infineon在其CoolSiC™中增加了650 V TOLL产品组合 MOSFET系列具有更好的热性能、功率密度和更容易的组装
 

随着数字化、城市化和电动出行的兴起继续塑造着快速发展的世界，电力消费需求正达到前所未有的水平。英飞凌infineon承认能源效率是一个重要问题，通过其碳化硅（SiC）CoolSiC解决了这些大趋势™ TO无引线（TOLL）封装中的MOSFET 650 V。新型SiC-MOSFET增强了英飞凌infineon全面的CoolSiC产品组合，并针对服务器、电信基础设施以及储能系统和电池成型解决方案的SMPS等应用中的最低损耗、最高可靠性和易用性进行了优化。
 

CoolSiC650V高性能基于沟槽的功率SiC MOSFET以非常精细的产品组合提供，最适合不同的目标应用。新系列采用JEDEC合格的TOLL封装，具有低寄生电感，可实现更高的开关频率、更低的开关损耗、良好的热管理和自动化组装。紧凑的外形使电路板空间得以高效利用，使系统设计师能够实现卓越的功率密度。
 

即使在恶劣的环境中，CoolSiC MOSFET 650 V也表现出非凡的可靠性，使其成为具有重复硬换向的拓扑结构的理想选择。创新的.XT互连技术通过降低热阻（Rth）和热阻（Zth）进一步增强了器件的热性能。此外，新器件的栅极阈值电压（V GS（th））大于4V，具有抗寄生导通的鲁棒性、坚固的体二极管和市场上最强的栅极氧化物（GOX），从而导致极低的FIT（时间故障）率。

虽然通常建议0 V的截止电压（V GS（关闭））来简化驱动电路（单极驱动），但新产品组合支持-5 V（关闭）至23 V（打开）范围内的V GS电压的宽驱动间隔。这确保了易用性以及与其他SiC MOSFET和标准MOSFET栅极驱动器IC的兼容性。这与更高的可靠性、降低的系统复杂性以及自动化组装的实现相结合，从而降低了系统和生产成本并加快了上市时间。

英飞凌infineon推出碳化硅CoolSiC™ TO无引线（TOLL）封装中的MOSFET 650 V。这些新型SiC MOSFET优化了各种应用的性能，提供了高可靠性、低损耗和易用性，同时实现了高效的功率密度和热管理。