IC芯片N沟道MOS场效应管配置电路图

 

上图MOS场效应管继电器开关电路以公共源极配置连接。

在零电压输入、LOW条件、VGS值的情况下，栅极驱动不足以打开通道，晶体管处于“OFF”状态。

 

当VGS增加到高于MOSFET的下阈值电压VT时，通道打开，电流流动，继电器线圈工作。

 

增强型MOSFET作为常开开关工作，非常适合开关继电器等小负载。

 

E型MOS场效应管具有高的“关”电阻，但具有中等的“导通”电阻，此电阻适用于大多数应用，因此在为特定的开关应用选择一个时，需要考虑其RDS值。