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台积电3nm工艺为Marvell打造数据中心芯片

   时间:2023/4/21      阅读:228    关键词:芯片

 

据媒体报道,台积电3nm工艺Marvell打造数据中心芯片


美国芯片公司Marvell表示,基于台积电3nm)工艺打造的数据中心芯片正式发布。

该节点中的业界首创硅构建模块包括 112G XSR SerDes(串行器/解串行器)、Long Reach SerDesPCIe Gen 6 / CXL 3.0 SerDes 240 Tbps 并行芯片到芯片互连。

台积电3nm工艺为Marvell打造数据中心芯片

 

SerDes 和并行互连在芯片中充当高速通道

应用于chiplet内部的芯片或硅组件之间交换数据。

 

2.5D 3D 封装一起

可以消除系统级瓶颈推进最复杂的半导体设计。

 

SerDes 有助于减少引脚、走线和电路板空间,降低成本。

超大规模数据中心的机架可能包含数以万计的 SerDes 链路。

 

根据提供数据,新并行芯片到芯片互连可实现高达 240 Tbps 的聚合数据传输,比多芯片封装应用的可用替代方案快 45%

 

互连传输速率相当于每秒下载 10,000 部高清电影,尽管距离只有几毫米或更短。