据媒体报道，台积电3nm工艺为Marvell打造数据中心芯片。

美国芯片公司Marvell表示，基于台积电3nm)工艺打造的数据中心芯片正式发布。

该节点中的业界首创硅构建模块包括 112G XSR SerDes（串行器/解串行器）、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 / CXL 3.0 SerDes 和 240 Tbps 并行芯片到芯片互连。

 

SerDes 和并行互连在芯片中充当高速通道

应用于：chiplet内部的芯片或硅组件之间交换数据。

 

与 2.5D 和 3D 封装一起

可以消除系统级瓶颈，推进最复杂的半导体设计。

 

SerDes 有助于减少引脚、走线和电路板空间，降低成本。

超大规模数据中心的机架可能包含数以万计的 SerDes 链路。

 

根据提供数据，新并行芯片到芯片互连可实现高达 240 Tbps 的聚合数据传输，比多芯片封装应用的可用替代方案快 45%。

 

即互连传输速率相当于每秒下载 10,000 部高清电影，尽管距离只有几毫米或更短。