时间:2023/6/2 阅读:394 关键词:场效应管
以下电路类似结型场效应管公共漏极(源极跟随器)电路。
当FET的栅极端子,直接连接到地VG=0时
因源极电阻器RS两端的电压降,源极端子处于高于零电压地的某个电压电平。
因此,在沟道电流流过外部源极电阻器,结型场效应管的栅极到源极电压将小于零(比零更负)(VGS<0)。
外部源极电阻器RS提供反馈电压,该反馈电压用于自偏置JFET的栅极端子,使漏极电流通过沟道保持恒定,而不管漏极-源极电压有任何变化。
唯一电压源是提供漏极电流和偏置的电源电压VDD。
JFET使用源极电阻器(VRS)两端的电压降来设置栅极偏置电压VGS,从而设置沟道电流。
增加RS的电阻值将减小沟道漏极电流ID。
但是,如果想构建一个JFET恒流源电路,这个外部源电阻器RS的合适值是多少。
特定N沟道结型场效应管的制造商数据表将为提供VGS(关闭)和IDSS的值。知道这两个参数的值,可以将漏极电流ID的上述JFET方程转换为任意给定漏极电流值的VGS值,ID在零和IDSS之间,如上图。
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