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    器件功能

    场效应管MOSFET 二极管 驱动器IC IGBT 双极晶体管 控制器IC 无源器件

    NCE12P09S


    品牌：新洁能
    封装：24+
    批号：SOP-8
    参数：
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    NCE12P09S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压操作。该设备适用于负载切换应用和各种其他应用。

    NCE12P09S

     VDS = -12V,ID = -9A
    RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=-2.5V
    RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=-4.5V 

    ●先进的沟槽MOSFET工艺技术
    ●超低导通电阻，低栅极电荷

    应用
    ●PWM应用
    ●负载开关
    ●手机电池充电


    NCE12P09S

    NCE12P09S

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