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功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。结果表明,该器件具有低导通电阻、优越的开关性能和高雪崩能量。
特性 低RDS(开启) 低栅极电荷(典型Qg=34.2 nC) 100%UIS测试符合RoHS标准应用功率因数校正。 开关电源。 LED驱动器
VDSS 650V ID 10A RDS(on),max 1.0ΩQ g,typ 34.2 nC