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功率MOSFET是使用先进的平面VDMOS技术制造的。结果表明,该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高电能
特性 低RDS(开启) 低栅极电荷(典型Qg=20.7nC) 100%UIS测试符合RoHS标准应用功率校正。 开关电源。 LED驱动器。
VDSS 650V ID 7A RDS(on),max 1.4Ω Qg,typ 20.7nC