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    器件功能

    场效应管MOSFET 二极管 驱动器IC IGBT 双极晶体管 控制器IC 无源器件

    LNF4N65


    品牌：龙腾LONTEN
    封装：24+
    批号：TO-262
    参数：
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    功率MOSFET是使用先进的平面VDMOS技术制造的。结果表明，该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高雪崩能量。

    特性
    低RDS（开启）
    低栅极电荷（典型Qg=12 nC）
    100%UIS测试符合RoHS标准应用功率校正。
    开关电源。
    LED驱动器

    Product Summary
    VDSS 650V
    ID 4A
    RDS(on),max 2.70Ω
    Qg,typ 12 nC

    LNC4N65

    LNC4N65

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