提交物料清单文件
下载文件
填写表格
提交清单
客服回复
说明功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。所得到的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。具有以下 特点:低RDS(on)、低栅极电荷(典型Qg=50nC)、100%UIS测试、符合RoHS标准的应用、功率因数校正。 开关电源 LED驱动器
VDSS 700V ID 15A RDS(on),max 0.6Ω Qg,typ 50 nC