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    器件功能

    场效应管MOSFET 二极管 驱动器IC IGBT 双极晶体管 控制器IC 无源器件

    LND4N80


    品牌：龙腾LONTEN
    封装：24+
    批号：TO-220F
    参数：
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    描述功率MOSFET是使用先进的平面VDMOS技术制造的。该器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。

    特点
    ◆低RDS（on）
    ◆低栅极电荷（典型Qg=16.5nC）
    ◆100%UIS测试
    ◆符合RoHS标准的应用
    ◆功率因数校正。
    ◆开关电源。
    ◆LED驱动器。

    LND4N80


    VDSS 800V
    ID 4A
    RDS(on),max 3.8Ω
    Qg,typ 16.5nC
     

    LND4N80

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