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    器件功能

    场效应管MOSFET 二极管 驱动器IC IGBT 双极晶体管 控制器IC 无源器件

    TSP740MR


    品牌：信安
    封装：24+
    批号：TO-220
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    TSP740MR/TSF740MR400V N沟道MOSFET

    概述该功率MOSFET采用Truesemi先进的平面条形DMOS技术生产。这项先进技术特别适合于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并在伏安和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
     

    功能
    -10.5A、400V、RDS（开启）典型值=0.46Ω@VGS=10V
    -低栅极电荷（典型15.7nC）
    -高坚固性-快速开关-100%雪崩测试-提高dv/dt能力

    TSP740MR

    TSP740MR

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