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    器件功能

    场效应管MOSFET 二极管 驱动器IC IGBT 双极晶体管 控制器IC 无源器件

    TSF18N20M


    品牌：信安
    封装：24+
    批号：TO-220F
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    TSF18N20M200V N沟道MOSFET

    概述该功率MOSFET采用Truesemi先进的平面条形DMOS技术生产。这项先进技术是专门为最小化导通电阻、提供卓越的开关性能以及在伏安和换向模式下承受高能脉冲而量身定制的。这些器件非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。


    特点
    •18A，200V，最大RDS（on）=0.17Ω@VGS=10V
    •低栅极电荷（典型22nC）
    •高坚固性
    •快速切换
    •100%雪崩测
    •提高dv/dt能力


    TSF18N20M

    TSF18N20M

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