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    器件功能

    场效应管MOSFET 二极管 驱动器IC IGBT 双极晶体管 控制器IC 无源器件

    AP18N20D


    品牌：永源微 APM
    封装：24+
    批号：TO-252-3L
    参数：
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    AP18N20D是硅N沟道增强型DMOSFET，通过自对准平面技术获得，可降低导通损耗，提高开关性能，增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。

    应用
    不间断电源（UPS）
    功率因数校正（PFC）
     

    VDS = 200V ID =18A

    RDS(ON) < 150mΩ @ VGS=10V （Type：120mΩ）

     

    AP18N20D

    AP18N20D

     

    AP18N20D

     

     

     

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