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说明:AP4N20SI采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。
特征
VDS = 200V ID =4.5A RDS(ON) < 600mΩ@ VGS=10V (Type:500mΩ)
应用领域 自动照明 负载开关 不间断电源