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    器件功能

    场效应管MOSFET 二极管 驱动器IC IGBT 双极晶体管 控制器IC 无源器件

    AP2N20MI


    品牌：永源微 APM
    封装：24+
    批号：SOT23-3L
    参数：
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    200V N沟道增强型MOSFET

    说明：AP2N20MI-H是硅N沟道增强型VDMOSFET，通过自对准平面技术获得，可降低导通损耗，提高开关性能，增强雪崩能量。该晶体管可用于系统的各种电源开关电路
     

    特征

    VDS =200V,ID =2A
    RDS(ON) <1800mΩ@ VGS=10V 
     

    应用
    LED调光应急灯

    AP2N20MI

    AP2N20MI

    AP2N20MI

     

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