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    器件功能

    场效应管MOSFET 二极管 驱动器IC IGBT 双极晶体管 控制器IC 无源器件

    AP3N20SI


    品牌：永源微 APM
    封装：24+
    批号：SOT89-3L
    参数：
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    描述
    AP3N20SI是硅N沟道增强型DMOSFET，通过自对准平面技术获得，可降低导通损耗，提高开关性能，增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。

    一般特征

    SOVDS = 180V

    ID =3A

    RDS(ON) < 1800mΩ @ VGS=10V （Type：1300mΩ）

    应用领域

    自动照明负载开关

    不间断电源

    AP3N20SI

    AP3N20SI

    AP3N20SI

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