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双高压TMBS®（沟槽MOS势垒肖特基）整流器
特点 •沟槽MOS肖特基技术 •低正向压降、低功耗 •高效运行•低热阻 •符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值245°C（适用于TO-263AB封装） •焊浴温度最高275°C，10秒，符合JESD 22-B106（适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装）
典型应用 用于高频转换器、开关电源、续流二极管、整流二极管、DC/DC转换器和反向电池保护。 封装：TO-220AB、ITO-220AB，D2PAK（TO-263AB）和TO-262AA
化合物符合UL 94 V-0可燃性等级Base P/N-E3-符合RoHS标准，商业级端子：亚光镀锡引线，可根据J-STD-002焊接，JESD 22-B102E3后缀符合JESD 201 1A级须晶测试极性：如标记所示安装扭矩：最大10 in-lbs