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安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。
特性 高电流能力 低饱和电压:VCE(sat) =2.3V @ IC = 40A 高输入阻抗 快速开关:EOFF =8uJ/A 符合 RoHS 标准