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    器件功能

    场效应管MOSFET 二极管 驱动器IC IGBT 双极晶体管 控制器IC 无源器件

    FQP4N90C


    品牌：安森美ON
    封装：24+
    批号：TO-220
    参数：
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    说明这款N沟道增强型功率MOSFET采用onsemi专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别定制，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
     

    FQP4N90C

    功能
    4.0 A，900 V，RDS（开启）=4.2（最大）@VGS=10 V，ID=2.0 A
    低栅极电荷（典型值17 nC）
    低Crss（典型值5.6 pF）
    于100%雪崩测试

     

    FQP4N90C

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