这款N沟道MOSFET采用ON Semiconductor的先进POWERTRENCH®工艺生产，该工艺经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
特点
•VGS=10 V，ID=13 A时，最大rDS（on）=8 m
•VGS=6 V，ID=9.5 A时，最小rDS（on）=13.5 m
•先进的封装和硅组合，可实现低rDS（on）和高效率
•MSL1坚固的封装设计
•100%UIL测试
•100%Rg测试
•这些器件无铅，符合RoHS应用
•DC-DC转换
