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这款N沟道MOSFET采用ON Semiconductor的先进POWERTRENCH®工艺生产,该工艺经过专门设计,可最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
特点 •VGS=10 V,ID=13 A时,最大rDS(on)=8 m •VGS=6 V,ID=9.5 A时,最小rDS(on)=13.5 m •先进的封装和硅组合,可实现低rDS(on)和高效率 •MSL1坚固的封装设计 •100%UIL测试 •100%Rg测试 •这些器件无铅,符合RoHS应用 •DC-DC转换