STGW75M65DF2

沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、75 A，低损耗

特性

6µs的短路耐受时间

VCE（sat）=1.65 V（典型值）@IC=75 A紧凑的参数分布

更安全的并联

正VCE（sat）温度系数低热阻

软而快速恢复的反并联二极管

最高结温：TJ=175°C应用电机控制

UPSPFC

通用逆变器

描述
这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。
这些器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正的VCE（sat）温度系数和紧凑的参数分布使并联运行更安全。