650 V、120 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
特性
•最高结温：TJ=175°C
•最小短路耐受时间为6μs
•VCE（sat）=1.65 V（典型值）@IC=120 A
•参数分布紧密•并联更安全
•正VCE（sat）温度系数
•低热阻
•软快速恢复反并联二极管
应用
•电机控制
•UPS
•PFC
•通用逆变器描述该器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。
该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正的VCE（sat）温度系数和紧凑的参数分布使并联运行更安全。
