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    STGYA120M65DF2


    品牌:意法半导体ST
    封装:23+
    批号:TO-247
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    650 V、120 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
     

    STGYA120M65DF2

    特性

    •最高结温:TJ=175°C
    •最小短路耐受时间为6μs
    •VCE(sat)=1.65 V(典型值)@IC=120 A
    •参数分布紧密•并联更安全
    •正VCE(sat)温度系数
    •低热阻
    •软快速恢复反并联二极管
     

    应用
    •电机控制
    •UPS
    •PFC
    •通用逆变器描述该器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。
     

    该器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡,其中低损耗和短路功能至关重要。此外,正的VCE(sat)温度系数和紧凑的参数分布使并联运行更安全。

    STGYA120M65DF2

     

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