650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
特点
•最高结温：TJ=175°C
•高速开关系列
•最小化尾电流
•低饱和电压：
VCE（sat）=1.6 V（典型值）@IC=60 A
•参数分布紧凑•安全并联
•正VCE（sat）温度系数
•低热阻
•非常快的软恢复反并联二极管
应用
•光伏逆变器
•高频转换器描述这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。
这些器件是新型HB系列IGBT的一部分，代表了传导和开关损耗之间的最佳折衷，以最大限度地提高任何变频器的效率。此外，微正的VCE（sat）温度系数和非常紧密的参数分布导致了安全的并联操作。
