IPW60R037P7

优化的超结MOSFET将高能效与易用性结合在一起
600V CoolMOS™ P7超级结（SJ）MOSFET是600V CoolMOS的继任者™ P6系列。在设计过程中，它继续在高效需求和易用性之间取得平衡。同类最佳的R onxA和CoolMOS固有的低栅极电荷（QG）™ 第7代平台保证了其高效率
 

功能概述
效率
600V P7可实现出色的FOM R DS（开启）xE oss和R DS（打开）xQ G
易用性
ESD耐用度≥2kV（HBM 2级）
集成栅极电阻器R G
坚固体二极管
贯穿孔和表面安装封装的广泛产品组合
可提供标准级和工业级零件

优势
效率
出色的FOMs R DS（开启）xQ G/R DS（打开）xE oss实现更高的效率
易用性
通过阻止ESD故障的发生，在制造环境中易于使用
集成RG降低MOSFET振荡灵敏度
MOSFET适用于硬开关拓扑和谐振开关拓扑，如PFC和LLC
LLC拓扑结构中的体二极管硬换向期间具有优异的坚固性
适用于各种终端应用和输出功率
适用于消费和工业应用的零件

应用
电视电源
工业SMPS
服务器
电信
照明