IPP65R110CFDA

品牌：英飞凌infineon
封装：22+
批号：TO-220
参数：

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器件详情

Parametrics	IPP65R110CFDA
Budgetary Price €/1k	3.66
I_D(@25°C) max	31.2 A
I_Dpuls max	99.6 A
Mounting	THT
Operating Temperature min max	-55 °C 175 °C
P_tot max	277.8 W
Package	PG-TO220-3
Polarity	N
Q_G (typ @10V) max	118 nC
Q_G	118 nC
Qualification	Automotive
R_{DS (on)} max	110 mΩ
R_{DS (on)} (@10V) max	110 mΩ
R_th	0.45 K/W
R_thJA max	62 K/W
R_thJC max	0.45 K/W
Special Features	automotive
Technology	CoolMOS™ CFDA
Topology	Full Bridge
V_DS max	650 V
V_GS(th) max	4.5 V ; 3.5 V

650V，N-通道，110米Ω max，汽车MOSFET，TO-220，CoolMOS™ CFDA

650V CoolMOS™ CFDA Superjunction（SJ）MOSFET是英飞凌的第二代市场领先的汽车合格高压CoolMOS™ 功率MOSFET。除了众所周知的汽车行业所需的高质量和可靠性外，650V CoolMOS™ CFDA系列还提供了一个集成的快体二极管。

功能概述
市场上首个采用集成快体二极管的650V汽车合格技术
硬换向期间的有限电压过冲——自限di/dt和dv/dt
低栅极电荷值Q g
体二极管重复换向时的低Q rr和低Q oss
减少开启和开启延迟时间
符合AEC Q101标准

优势
更高的击穿电压增加了安全裕度
减少EMI外观，易于设计
更好的轻载效率
降低开关损耗
可能有更高的开关频率和/或更高的占空比
高质量和可靠性