IKW50N60T

品牌：英飞凌infineon
封装：23+
批号：TO-247
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器件详情

Parametrics	IKW50N60T
E_off (Hard Switching)	1.4 mJ
E_on	1.2 mJ
I_C (@ 25°) max	80 A
I_C (@ 100°) max	50 A
I_Cpuls max	150 A
I_F max	100 A
I_Fpuls max	150 A
I_rrm	27.7 A
P_tot max	333 W
Package	TO-247-3
Q_Gate	310 nC
Q_rr	1.8 nC
R_G	7 Ω
R_Gint	-
Switching Frequency	TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
Switching Frequency min max	2 kHz 20 kHz
Technology	IGBT TRENCHSTOP™
V_CE(sat)	1.5 V
V_CE max	600 V
V_F	1.65 V
t_d(off)	299 ns
t_d(on)	26 ns
t_f	29 ns
t_r	29 ns

TO-247封装中的600 V、50 A IGBT分立式反并联二极管
硬开关600 V，50 A TRENCHSTOP™ IGBT3与TO-247封装中的全额定续流二极管共封装，由于沟槽单元和场阻概念的结合，大大提高了器件的静态和动态性能。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步最小化了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。

功能概述
最低的VCEsat压降可降低传导损耗
开关损耗低
由于VCEsat中的正温度系数，易于并联切换
极软、快速恢复反并联发射极控制二极管
高坚固性，温度稳定性能
低EMI发射
低栅极电荷
非常紧密的参数分布

优势
最高效率–低导通和开关损耗
600 V和1200 V的综合产品组合，设计灵活
设备可靠性高

应用程序
电机控制和驱动
光伏
不间断电源（UPS）

现货品牌

器件功能

IKW50N60T