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TO-247封装中带有反并联二极管的600 V、30 A IGBT分立 硬开关600 V,30 A TRENCHSTOP™ IGBT3与TO-247封装中的全额定续流二极管共封装,由于沟槽单元和场阻概念的结合,大大提高了器件的静态和动态性能。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步最小化了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷,达到了最高效率。
功能概述 最低的VCEsat压降可降低传导损耗 开关损耗低 由于VCEsat中的正温度系数,易于并联切换 非常柔软、快速恢复的反并联发射极控制二极管 高坚固性,温度稳定性能 低EMI发射 低栅极电荷 非常紧密的参数分布
优势 最高效率–低导通和开关损耗 600 V和1200 V的综合产品组合,设计灵活 设备可靠性高
应用程序 家用电器 不间断电源(UPS)