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    IRF3205S


    品牌:英飞凌infineon
    封装:22+
    批号:TO-263
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    Parametrics IRF3205S
    Budgetary Price €/1k 0.55 
    I(@25°C)   max 110 A
    Moisture Sensitivity Level 1
    Mounting SMD
    Operating Temperature   min  max -55 °C   175 °C
    Ptot   max 200 W
    Package D2PAK (TO-263)
    Polarity N
    QG (typ @10V) 97.3 nC
    Qgd 36 nC
    RDS (on) (@10V)   max 8 mΩ
    RthJC   max 0.75 K/W
    Tj   max 175 °C
    VDS   max 55 V
    VGS(th)   min  max 3 V   2 V   4 V
    VGS   max 20 V

     

    D²PAK封装中的IR MOSFET 55 V
    功率MOSFET的IR MOSFET系列采用了经过验证的硅工艺,为设计师提供了广泛的设备组合,以支持各种应用,如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电的应用。

     

     

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