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    器件功能

    场效应管MOSFET 二极管 驱动器IC IGBT 双极晶体管 控制器IC 无源器件

    IPP023N10N5


    品牌：英飞凌infineon
    封装：22+
    批号：PG-TO220-3
    参数：
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    Parametrics IPP023N10N5
    Budgetary Price €/1k 2.57 
    Ciss 12000 pF
    Coss 1810 pF
    ID (@25°C)   max 120 A
    IDpuls   max 480 A
    Mounting TMT
    Operating Temperature   min  max -55 °C   175 °C
    Ptot   max 375 W
    Package TO-220
    Pin Count 3 Pins
    Polarity N
    QG (typ @10V) 168 nC
    RDS (on) (@10V)   max 2.3 mΩ
    Rth 0.4 K/W
    RthJA   max 62 K/W
    RthJC   max 0.4 K/W
    VDS   max 100 V
    VGS(th)   min  max 3 V   2.2 V   3.8 V

     

    OptiMOS™ TO-220封装中的5功率MOSFET 100 V

    Infineon的OptiMOS™ 5个80V和100V的工业功率MOSFET器件设计用于电信和服务器电源应用中的同步整流，也是太阳能、低压驱动器和笔记本电脑适配器等其他应用的理想选择。

    功能概述
    针对同步整流进行了优化
    适用于高开关频率
    输出电容降低高达44%
    RDS（开启）比上一代减少了43%

    优势
    最高的系统效率
    降低了开关和传导损耗
    所需并联更少
    功率密度增加
    低压过冲

    应用
    电信
    服务器
    太阳的
    低压驱动器
    轻型电动汽车
    适配器

     

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