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    器件功能

    场效应管MOSFET 二极管 驱动器IC IGBT 双极晶体管 控制器IC 无源器件

    IRLHM620


    品牌：英飞凌infineon
    封装：22+
    批号：TDSON-8
    参数：
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    Parametrics IRLHM620
    Budgetary Price €/1k 0.38 
    ID (@25°C)   max 40 A
    Moisture Sensitivity Level 1
    Mounting SMD
    Operating Temperature   min  max -55 °C   150 °C
    Ptot   max 37 W
    Ptot (@ TA=25°C)   max 2.7 W
    Package PQFN 3.3 x 3.3
    Polarity N
    QG (typ @4.5V) 52 nC
    Qgd 25 nC
    RDS (on) (@4.5V)   max 2.5 mΩ
    RDS (on) (@10V)   max 2.2 mΩ
    RthJC   max 3.4 K/W
    Tj   max 150 °C
    VDS   max 20 V
    VGS(th)   min  max 0.8 V   0.5 V   1.1 V
    VGS   max 12 V

     

    20V单N通道StrongIRFET™ PQFN 3.3x3.3封装中的功率MOSFET

    StrongIRFET™ 功率MOSFET系列针对低RDS（导通）和高电流能力进行了优化。这些设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涉及广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。

    功能概述
    针对分销合作伙伴提供的最广泛的可用性进行了优化
    根据JEDEC标准进行产品鉴定
    行业标准表面贴装封装
    高RDS（on）SuperSO8封装的潜在替代方案

    优势
    分销合作伙伴的广泛可用性
    行业标准资质等级
    标准引脚可直接更换
    小外形尺寸

    应用
    电池供电的应用
    直流电机驱动

     

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