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专为满足高压MOSFET领域日益增长的消费者需求而设计的最新950V CoolMOS™ P7技术专注于低功耗SMPS市场。
提供比其前身900V CoolMOS多50V的阻断电压™ C3,950V CoolMOS™ P7系列在效率、热性能和易用性方面提供了卓越的性能。与所有其他P7家族成员一样,950V CoolMOS™ P7系列配备集成齐纳二极管ESD保护。集成二极管大大提高了ESD的稳健性,从而减少了与ESD相关的产量损失,并达到了非凡的易用性水平。正向电阻™ P7的VGS(th)为3V,公差仅为±0.5V,这使其易于驾驶和设计。
功能概述 一流的FOM RDS(on)Eoss;减少的Qg、Cis和Coss 450 mΩ的同类最佳DPAK RDS(开启) 3V的同类最佳VGS(th)和±0.5V的最小VGS变化 集成齐纳二极管ESD保护达到2级(HBM) 一流的质量和可靠性
优势 与CoolMOS相比,效率增益高达1%,MOSFET温度降低2°C至10°C™ C3 实现更高的功率密度设计、BOM节约和更低的组装成本 易于驾驶和设计 通过减少ESD相关故障,提高生产效率 生产问题减少,现场退货减少
应用 照明 智能电表 大哥大充电器 笔记本适配器 AUX电源 工业SMPS