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高速650V,硬开关IGBT TRENCHSTOP™ 5与RAPID 1快速软反并联二极管共同封装在TO-247封装中,被定义为“同类最佳”IGBT。
功能概述 650 V击穿电压 与同类中最好的HighSpeed 3系列相比 系数2.5较低Qg 开关损耗降低系数2 VCEsat降低200mV 与Rapid Si二极管技术共同封装 COES/EOSS低 轻度正温度系数VCEsat Vf的温度稳定性
优势 一流的效率,从而降低结和 外壳温度可提高设备可靠性 在不影响的情况下,总线电压可能增加50 V 可靠性 更高的功率密度设计