IPD60R180P7S

品牌：英飞凌infineon
封装：18+
批号：TO-252
参数：

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器件详情

Parametrics	IPD60R180P7S
Budgetary Price €/1k	0.64
I_D(@25°C) max	18 A
I_D max	18 A
I_Dpuls max	53 A
Mounting	SMT
Operating Temperature min max	-40 °C 150 °C
P_tot max	72 W
Package	DPAK (TO-252)
Pin Count	3 Pins
Polarity	N
Q_G (typ @10V)	25 nC
Q_G	25 nC
Q_gd	8 nC
R_{DS (on)} (@10V) max	180 mΩ
R_{DS (on)} max	180 mΩ
R_th	1.74 K/W
R_thJA max	62 K/W
R_thJC max	1.74 K/W
Special Features	price/perance
V_DS max	600 V
V_GS(th) min max	3.5 V 3 V 4 V

优化的超结MOSFET将高能效与易用性结合在一起

600V CoolMOS™ P7超级结（SJ）MOSFET是600V CoolMOS的继任者™ P6系列。它继续在设计过程中平衡对高效率的需求和易用性。同类最佳的R onxA和CoolMOS固有的低栅极电荷（QG）™ 第7代平台确保了其高效率。

功能概述

效率：600V P7可实现出色的FOM R DS（开启）xE oss和R DS（打开）xQ G

易用性：ESD坚固性≥2kV（HBM 2级）

集成栅极电阻器R G

坚固体二极管

贯穿孔和表面安装封装的广泛产品组合

可提供标准级和工业级零件

优势

效率：出色的FOMs R DS（开启）xQ G/R DS（打开）xE oss实现更高的效率

易用性：通过阻止ESD故障的发生，在制造环境中易于使用

集成RG降低MOSFET振荡灵敏度

MOSFET适用于硬和谐振